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IXFX220N17T2

Name: IXYS IXFX220N17T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX220N17T2
Price: 10.59 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFX220N17T2

N° de fab. :

IXFX220N17T2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET

Fiche technique:

IXFX220N17T2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	170 V
Id - Courant continu de fuite:	220 A
Rds On - Résistance drain-source:	6.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	500 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.25 mW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	150 ns
Transconductance directe - min.:	105 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	160 ns
Série:	IXFX220N17
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	44 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

IXFX220N17T2 Fiche technique

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TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8542900006
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

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