Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IXFX250N10P

Name: IXYS IXFX250N10P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX250N10P
Price: 18.36 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFX250N10P

N° de fab. :

IXFX250N10P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET

Fiche technique:

IXFX250N10P Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de IXYS IXFX250N10P

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 26 Semaines Délai de production estimé en usine.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 300 Multiples : 30

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	18,36 €	5 508,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	250 A
Rds On - Résistance drain-source:	6.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	205 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.25 mW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	IXFX250N10
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	6 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IXFX250N10P Fiche technique

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité

TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8542900006
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.