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IXFX32N100P

Name: IXYS IXFX32N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX32N100P
Price: 26.74 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFX32N100P

N° de fab. :

IXFX32N100P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds

Fiche technique:

IXFX32N100P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	26,74 €	26,74 €
	21,41 €	214,10 €
	17,30 €	2 076,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	32 A
Rds On - Résistance drain-source:	320 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	6.5 V
Qg - Charge de grille:	225 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	960 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	43 ns
Transconductance directe - min.:	13 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	55 ns
Série:	IXFX32N100
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	76 ns
Délai d'activation standard:	50 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

IXFX32N100P Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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