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IXFX32N80Q3

Name: IXYS IXFX32N80Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX32N80Q3
Price: 33.76 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFX32N80Q3

N° de fab. :

IXFX32N80Q3

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A

Fiche technique:

IXFX32N80Q3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	33,76 €	33,76 €
	27,55 €	275,50 €
	24,01 €	2 881,20 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	32 A
Rds On - Résistance drain-source:	270 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Qg - Charge de grille:	140 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1 kW
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	300 ns
Série:	IXFX32N80
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

IXFX32N80Q3 Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

HiPerFET Power MOSFETs

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MOSFET de puissance HiPerFET™ de classe Q3

Les MOSFET de puissance HiPerFET™ de classe Q3 d'IXYS offrent à l'utilisateur final une large gamme de dispositifs offrant des performances de commutation de puissance exceptionnelles. Ils offrent également d'excellentes caractéristiques thermiques, une robustesse améliorée du dispositif et une haute efficacité énergétique. Ces MOSFET sont fournis avec une tension drain-source nominale de 200 V à 1 000 V et un courant de drain nominal de 10 A à 100 A. Ces caractéristiques font de la classe Q3 une combinaison optimisée de faibles résistance à l'état passant (R_dson) et charge de grille (Q_g), ce qui réduit considérablement à la fois la perte de conduction et de commutation du composant. Ses capacités de commutation de puissance et la robustesse du dispositif sont davantage renforcées par l'utilisation du processus HiperFET. Ce processus produit un composant avec un redresseur intrinsèque rapide qui fournit une faible charge de récupération inverse (Q_rr) tout en améliorant les valeurs nominales dv/dt de commutation (jusqu'à 50 V/ns) du composant.