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IXFX360N10T

Name: IXYS IXFX360N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX360N10T
Price: 16.81 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFX360N10T

N° de fab. :

IXFX360N10T

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

Fiche technique:

IXFX360N10T Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	16,81 €	16,81 €
	11,67 €	116,70 €
	9,39 €	1 126,80 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	360 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	525 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.25 mW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	IXFX360N10
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

IXFX360N10T Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8542900006
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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