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IXFX90N30

Name: IXYS IXFX90N30
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX90N30
Price: 15.1 EUR
Availability: Discontinued

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFX90N30

N° de fab. :

IXFX90N30

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 300V 90A

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IXFX90N30 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	15,10 €	4 530,00 €
	14,30 €	7 293,00 €
1 020	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	300 V
Id - Courant continu de fuite:	90 A
Rds On - Résistance drain-source:	33 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	360 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	560 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HyperFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	40 ns
Transconductance directe - min.:	70 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	55 ns
Série:	HiPerFET
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	100 ns
Délai d'activation standard:	42 ns
Poids de l''unité:	6 g