Passer au contenu principal

+33 5 55 85 79 96

Membre du groupe de spécialistes TTI Contacter Mouser (Brive) +33 5 55 85 79 96 Commentaires

Changer de pays

En stock

RoHS

Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici
Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici

Historique des commandes

Fab.	N° de fab. :	Quantité	Total ext.

Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IXKH35N60C5

IXYS

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXKH35N60C5

N° de fab. :

IXKH35N60C5

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 35 Amps 600V

Fiche technique:

IXKH35N60C5 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Disponibilité

Stock:: Indisponible

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

Prix (EUR)

Demander un devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	35 A
Rds On - Résistance drain-source:	90 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	60 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Série:	IXKH35N60
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	60 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Poids de l''unité:	6 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IXKH35N60C5 Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 85415001
BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

PRODUITS PRÉSENTÉS

IXYS

MOSFET de puissance X4-Class

Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

MOSFET de puissance 200 V de classe X4 MMIX1T500N20X4

Le boîtier isolé à base de céramique améliore la R_th(j-s) globale ainsi que la capacité de traitement de puissance.

MOSFET de puissance IXFP34N65X2W

650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

MOSFET de puissance IXFH46N65X2W

650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

MOSFET de puissance IXFH34N65X2W

650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.