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IXKN75N60C

IXYS

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N° Mouser :

747-IXKN75N60C

N° de fab. :

IXKN75N60C

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 75 Amps 600V

Fiche technique:

IXKN75N60C Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	75 A
Rds On - Résistance drain-source:	30 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.9 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	IXKN75N60
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	10 ns
Hauteur:	12.22 mm
Longueur:	38.23 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	CoolMOS
Type:	CoolMOS Power MOSFET
Délai de désactivation type:	110 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Vf - Tension directe:	900 mV
Vr - Tension inverse:	350 V
Largeur:	25.42 mm
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXKN75N60C Fiche technique

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TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 85415001
BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

PRODUITS PRÉSENTÉS

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