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IXTA10N60P

Name: IXYS IXTA10N60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA10N60P
Price: 2.82 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXTA10N60P

N° de fab. :

IXTA10N60P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds

Fiche technique:

IXTA10N60P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	740 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	200 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	21 ns
Transconductance directe - min.:	11 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	27 ns
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	65 ns
Délai d'activation standard:	23 ns
Poids de l''unité:	4 g