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IXTA110N055T7

Name: IXYS IXTA110N055T7
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA110N055T7
Price: 2.97 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

747-IXTA110N055T7

N° de fab. :

IXTA110N055T7

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds

Fiche technique:

IXTA110N055T7 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	1,93 €	19,30 €
	1,32 €	132,00 €
	1,10 €	550,00 €
	1,02 €	1 020,00 €
	0,963 €	2 407,50 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	55 V
Id - Courant continu de fuite:	110 A
Rds On - Résistance drain-source:	7 mOhms
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	230 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Temps de descente:	24 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Poids de l''unité:	1,600 g