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IXTA1R4N100P

Name: IXYS IXTA1R4N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA1R4N100P
Price: 4.76 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTA1R4N100P

N° de fab. :

IXTA1R4N100P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds

Fiche technique:

IXTA1R4N100P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,76 €	4,76 €
	3,11 €	31,10 €
	2,00 €	200,00 €
	1,81 €	905,00 €
	1,74 €	1 740,00 €
	1,71 €	4 275,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	1.4 A
Rds On - Résistance drain-source:	11 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	17.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	63 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	28 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	35 ns
Série:	IXTA1R4N100
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	65 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Poids de l''unité:	4 g