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IXTA220N04T2-7

Name: IXYS IXTA220N04T2-7
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA220N04T2-7
Price: 4.45 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXTA220N04T2-7

N° de fab. :

IXTA220N04T2-7

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds

Fiche technique:

IXTA220N04T2-7 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	220 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	112 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	360 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	21 ns
Transconductance directe - min.:	40 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	21 ns
Série:	IXTA220N04
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	31 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Poids de l''unité:	1,600 g