Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IXTA220N04T2-TRL

Name: IXYS IXTA220N04T2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA220N04T2-TRL
Price: 2.15 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXTA220N04T2-TRL

N° de fab. :

IXTA220N04T2-TRL

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET IXTA220N04T2 TRL

Fiche technique:

IXTA220N04T2-TRL Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de IXYS IXTA220N04T2-TRL

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 33 Semaines Délai de production estimé en usine.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 800 Multiples : 800

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	2,15 €	1 720,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	220 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	112 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	360 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchT2
Conditionnement:	Reel
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	21 ns
Transconductance directe - min.:	40 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	21 ns
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	31 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Poids de l''unité:	1,600 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IXTA220N04T2-TRL Fiche technique

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance standard/HiPerFET™ TrenchT2™

Les MOSFET de puissance standard TrenchT2™ et HiPerFET™ de Littelfuse sont des MOSFET monocanal ou à canal double à mode d'amélioration offrant des capacités de transport de courant élevé (jusqu'à 600 A). Ces composants disposent d'une faible résistance drain-source à la fermeture (3,5 mΩà 22 mΩ) et d'une charge de grille (25,5 nC à 178 nC) dans une large plage de température de fonctionnement de -55 °C à +175 °C. Disponibles en divers boîtiers compacts, les MOSFET TrenchT2 sont idéaux pour les systèmes de conversion de puissance à courant fort et basse tension.