IXTA3N100D2

IXYS
747-IXTA3N100D2
IXTA3N100D2

Fab. :

Description :
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

Modèle de ECAO:
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En stock: 809

Stock:
809 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
32 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
8,07 € 8,07 €
5,68 € 56,80 €
4,59 € 459,00 €
4,08 € 2 040,00 €
3,82 € 3 820,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
1 kV
3 A
6 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
37.5 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Depletion
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: KR
Type de produit: MOSFETs
Série: IXTA3N100
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Poids de l''unité: 4 g
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541900000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541900000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8542900006
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99