IXTA4N80P

IXYS
747-IXTA4N80P
IXTA4N80P

Fab. :

Description :
MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
27 Semaines Délai de production estimé en usine.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
4,01 € 4,01 €
2,62 € 26,20 €
1,69 € 169,00 €
1,52 € 760,00 €
1,42 € 1 420,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
3.5 A
3 Ohms
- 30 V, 30 V
5.5 V
14.2 nC
- 55 C
+ 150 C
100 W
Enhancement
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Temps de descente: 29 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 24 ns
Série: IXTA4N80
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 60 ns
Délai d'activation standard: 22 ns
Poids de l''unité: 1,600 g
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.