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IXTA80N10T

Name: IXYS IXTA80N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA80N10T
Price: 5.17 EUR
Availability: OutOfStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXTA80N10T

N° de fab. :

IXTA80N10T

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds

Fiche technique:

IXTA80N10T Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	105 V
Id - Courant continu de fuite:	80 A
Rds On - Résistance drain-source:	14 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	60 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	230 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	48 ns
Transconductance directe - min.:	33 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	54 ns
Série:	IXTA80N10
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	31 ns
Poids de l''unité:	1,600 g