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IXTH02N250

Name: IXYS IXTH02N250
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH02N250
Price: 20.63 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXTH02N250

N° de fab. :

IXTH02N250

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A

Fiche technique:

IXTH02N250 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	20,63 €	20,63 €
	13,03 €	130,30 €
	12,08 €	1 449,60 €
1 020	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	2.5 kV
Id - Courant continu de fuite:	200 mA
Rds On - Résistance drain-source:	450 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	7.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	83 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	33 ns
Transconductance directe - min.:	88 mS
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	19 ns
Série:	IXTH02N250
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	32 ns
Délai d'activation standard:	19 ns
Poids de l''unité:	6 g