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IXTH10P60

Name: IXYS IXTH10P60
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH10P60
Price: 14.34 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXTH10P60

N° de fab. :

IXTH10P60

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds

Fiche technique:

IXTH10P60 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	14,34 €	14,34 €
	8,90 €	89,00 €
	8,89 €	1 066,80 €
	8,11 €	4 136,10 €
	8,01 €	8 170,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	1 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	135 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	35 ns
Transconductance directe - min.:	5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	27 ns
Série:	IXTH10P60
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	85 ns
Délai d'activation standard:	33 ns
Poids de l''unité:	6 g