IXTH11P50

Name: IXYS IXTH11P50
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH11P50
Price: 11.02 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTH11P50

N° de fab. :

IXTH11P50

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET -11 Amps -500V 0.75 Rds

Fiche technique:

IXTH11P50 Fiche technique

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	11 A
Rds On - Résistance drain-source:	750 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	130 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	KR
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	35 ns
Transconductance directe - min.:	5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	27 ns
Série:	IXTH11P50
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	35 ns
Délai d'activation standard:	33 ns
Poids de l''unité:	6 g

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TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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IXTH11P50

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