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IXTH12N150

Name: IXYS IXTH12N150
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH12N150
Price: 19.09 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

747-IXTH12N150

N° de fab. :

IXTH12N150

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET

Fiche technique:

IXTH12N150 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	19,09 €	19,09 €
	11,52 €	115,20 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.5 kV
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Rds On - Résistance drain-source:	2 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	106 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	890 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	14 ns
Transconductance directe - min.:	8 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	16 ns
Série:	IXTH12N150
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	53 ns
Délai d'activation standard:	26 ns
Poids de l''unité:	6 g