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IXTH130N10T

Name: IXYS IXTH130N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH130N10T
Price: 8.11 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXTH130N10T

N° de fab. :

IXTH130N10T

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds

Fiche technique:

IXTH130N10T Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	8,11 €	8,11 €
	5,71 €	57,10 €
	4,12 €	494,40 €
	3,86 €	1 968,60 €
	3,84 €	3 916,80 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	130 A
Rds On - Résistance drain-source:	8.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	104 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	360 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	28 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	47 ns
Série:	IXTH130N10
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	44 ns
Délai d'activation standard:	30 ns
Poids de l''unité:	6 g