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IXTH150N15X4

Name: IXYS IXTH150N15X4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH150N15X4
Price: 12.82 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTH150N15X4

N° de fab. :

IXTH150N15X4

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET DiscMSFT NCh HiPerFET-Q Class TO-247AD

Cycle de vie:

Fin de vie:

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Fiche technique:

IXTH150N15X4 Fiche technique

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	7,40 €	888,00 €
	6,85 €	3 493,50 €
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	150 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	105 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	480 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	6 ns
Transconductance directe - min.:	70 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Série:	X4-Class
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	60 ns
Délai d'activation standard:	23 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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