IXTH16N50D2

IXYS
747-IXTH16N50D2
IXTH16N50D2

Fab. :

Description :
MOSFET N-CH 500V 16A MOSFET

Modèle de ECAO:
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Stock:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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18,48 € 18,48 €
11,55 € 115,50 €
11,15 € 1 338,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
500 V
16 A
300 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
199 nC
- 55 C
+ 150 C
695 W
Depletion
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Temps de descente: 220 ns
Transconductance directe - min.: 7 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 173 ns
Série: IXTH16N50D2
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 203 ns
Délai d'activation standard: 50 ns
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.