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IXTH200N075T

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N° Mouser :

747-IXTH200N075T

N° de fab. :

IXTH200N075T

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

IXTH200N075T Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	75 V
Id - Courant continu de fuite:	200 A
Rds On - Résistance drain-source:	5 mOhms
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	430 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Temps de descente:	52 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	57 ns
Série:	IXTH200N075
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	54 ns
Délai d'activation standard:	31 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

IXTH200N075T Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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