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IXTH30N50L2

Name: IXYS IXTH30N50L2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH30N50L2
Price: 33.32 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTH30N50L2

N° de fab. :

IXTH30N50L2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 30.0 Amps 500V 0.002 Rds

Fiche technique:

IXTH30N50L2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	33,32 €	33,32 €
	27,18 €	271,80 €
	24,01 €	2 881,20 €
510	Devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	200 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	240 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	400 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	Linear L2
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	40 ns
Transconductance directe - min.:	9 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	117 ns
Série:	IXTH30N50
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	94 ns
Délai d'activation standard:	35 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

IXTH30N50L2 Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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