IXTH340N04T4

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N° Mouser :

747-IXTH340N04T4

N° de fab. :

IXTH340N04T4

Fab. :

IXYS

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
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RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	340 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, 15 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	256 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	480 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	40 ns
Transconductance directe - min.:	110 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	55 ns
Série:	Gen4
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	113 ns
Délai d'activation standard:	23 ns
Poids de l''unité:	6 g