IXTH36P10

IXYS
747-IXTH36P10
IXTH36P10

Fab. :

Description :
MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds

Modèle de ECAO:
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IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
P-Channel
1 Channel
100 V
36 A
75 mOhms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
180 W
Enhancement
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Temps de descente: 28 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 37 ns
Série: IXTH36P10
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 65 ns
Délai d'activation standard: 35 ns
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
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