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IXTH3N120

Name: IXYS IXTH3N120
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH3N120
Price: 10.07 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXTH3N120

N° de fab. :

IXTH3N120

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds

Fiche technique:

IXTH3N120 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	10,07 €	10,07 €
	7,28 €	72,80 €
	5,33 €	639,60 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.5 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	39 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	18 ns
Transconductance directe - min.:	1.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Série:	IXTH3N120
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	32 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Poids de l''unité:	6 g