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IXTH60N20X4

Name: IXYS IXTH60N20X4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH60N20X4
Price: 13.95 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTH60N20X4

N° de fab. :

IXTH60N20X4

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET

Fiche technique:

IXTH60N20X4 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	13,95 €	13,95 €
	10,63 €	106,30 €
	7,72 €	926,40 €
	7,48 €	7 629,60 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	21 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	11 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	X4-Class
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	34 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	22 ns
Série:	IXTx60N20X4
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	52 ns
Délai d'activation standard:	13 ns

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Fiche technique

IXTH60N20X4 Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance à ultra-jonction IXT 200 V X4

Les MOSFET de puissance à ultra-jonction IXT 200 V X4 d'IXYS sont des composants à mode d'amélioration à canal N avec un R_DS(on)de 10,6 mΩ, 13 mΩ ou 21 mΩ et une tension drain-source maximale de 200 V. Les MOSFET IXT sont disponibles en boîtiers standard TO-220, TO-247, TO-263, ou TO-268 classés avalanche avec une densité de puissance élevée. Les MOSFET de puissance à ultra-jonction IXT 200 V X4 IXYS sont idéaux pour une utilisation dans les alimentations à découpage et à résonance.

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IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.