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IXTH80N65X2

Name: IXYS IXTH80N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH80N65X2
Price: 17.21 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTH80N65X2

N° de fab. :

IXTH80N65X2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

Fiche technique:

IXTH80N65X2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	17,21 €	17,21 €
	10,51 €	105,10 €
	9,61 €	1 153,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	80 A
Rds On - Résistance drain-source:	38 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.7 V
Qg - Charge de grille:	137 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	890 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	7 ns
Transconductance directe - min.:	36 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	72 ns
Délai d'activation standard:	36 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

IXTH80N65X2 Fiche technique

PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Pompes à chaleur

Littelfuse offre un large portefeuille de composants pour les pompes à chaleur, notamment des fusibles, des diodes TVS, des commandes de grilles et bien plus encore. Le marché des pompes à chaleur connaît une croissance rapide, stimulée par des initiatives gouvernementales visant à réduire les émissions de gaz à effet de serre et les coûts énergétiques croissants. Avec les moteurs pilotés par convertisseur améliorant l'efficacité des systèmes, les pompes à chaleur peuvent désormais être utilisées dans un large éventail de climats. Découvrez comment les technologies Littelfuse rendent les pompes à chaleur plus sûres, plus fiables et plus économes en énergie. Les pompes à chaleur peuvent être utilisées dans un large éventail de climats en raison des moteurs pilotés par le convertisseur qui améliorent l'efficacité du système. Ces composants sont adaptés à diverses applications telles que la gestion de l'énergie, les systèmes de sécurité, les systèmes HVAC, les détecteurs de fumée et les appareils contrôlés par l'IoT. Littelfuse offre des technologies de protection, de contrôle et de détection pour améliorer la fiabilité, la sécurité et l'efficacité énergétique des bâtiments.

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