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IXTH90P10P

Name: IXYS IXTH90P10P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH90P10P
Price: 14.15 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXTH90P10P

N° de fab. :

IXTH90P10P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET -90.0 Amps -100V 25 mOhms

Fiche technique:

IXTH90P10P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	14,15 €	14,15 €
	10,78 €	107,80 €
	8,97 €	1 076,40 €
	8,00 €	4 080,00 €
	7,57 €	7 721,40 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	90 A
Rds On - Résistance drain-source:	25 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	120 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	462 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	32 ns
Transconductance directe - min.:	22 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	77 ns
Série:	IXTH90P10
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	54 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Poids de l''unité:	6 g