IXTK200N10L2

IXYS
747-IXTK200N10L2
IXTK200N10L2

Fab. :

Description :
MOSFET L2 Linear Power MOSFET

Modèle de ECAO:
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28,57 € 2 857,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
1 Channel
100 V
200 A
11 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
540 nC
- 55 C
+ 150 C
1.04 kW
Enhancement
Linear L2
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Temps de descente: 27 ns
Transconductance directe - min.: 55 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 225 ns
Série: IXTK200N10
Nombre de pièces de l'usine: 25
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 127 ns
Délai d'activation standard: 40 ns
Poids de l''unité: 10 g
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.