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IXTN600N04T2

Name: IXYS IXTN600N04T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTN600N04T2
Price: 37.47 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTN600N04T2

N° de fab. :

IXTN600N04T2

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Fiche technique:

IXTN600N04T2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Délai usine :: 28

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	37,47 €	37,47 €
	31,84 €	318,40 €
	27,86 €	2 786,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227B-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	600 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	940 W
Série:	IXTN600N04
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	250 ns
Courant de sortie:	600 A
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	20 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	Trench
Délai de désactivation type:	90 ns
Délai d'activation standard:	40 ns
Vr - Tension inverse:	20 V
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXTN600N04T2 Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Corée, République de
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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