IXTN660N04T4

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N° Mouser :

747-IXTN660N04T4

N° de fab. :

IXTN660N04T4

Fab. :

IXYS

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	660 A
Rds On - Résistance drain-source:	850 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, + 15 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.04 mW
Série:	Gen4
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	260 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	430 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	Trench
Délai de désactivation type:	386 ns
Délai d'activation standard:	40 ns
Vr - Tension inverse:	30 V
Poids de l''unité:	30 g