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IXTN8N150L

Name: IXYS IXTN8N150L
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTN8N150L
Price: 62.2 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTN8N150L

N° de fab. :

IXTN8N150L

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 8 Amps 1500V

Fiche technique:

IXTN8N150L Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	62,20 €	62,20 €
	52,86 €	528,60 €
	46,87 €	4 687,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.5 kV
Id - Courant continu de fuite:	7.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.6 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	545 W
Série:	IXTN8N150
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	95 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	18 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	Linear Power MOSFET
Délai de désactivation type:	90 ns
Délai d'activation standard:	36 ns
Vr - Tension inverse:	100 V
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXTN8N150L Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Corée, République de
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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