IXTP01N100D

Name: IXYS IXTP01N100D
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP01N100D
Price: 8.62 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTP01N100D

N° de fab. :

IXTP01N100D

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds

Fiche technique:

IXTP01N100D Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	400 mA
Rds On - Résistance drain-source:	80 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	5.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	25 W
Mode canal:	Depletion
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	64 ns
Transconductance directe - min.:	100 mS
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	IXTP01N100
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	34 ns
Délai d'activation standard:	7 ns
Poids de l''unité:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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IXTP01N100D

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