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IXTP02N120P

Name: IXYS IXTP02N120P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP02N120P
Price: 3.57 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

747-IXTP02N120P

N° de fab. :

IXTP02N120P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 500V to 1200V Polar Power MOSFET

Fiche technique:

IXTP02N120P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,57 €	3,57 €
	1,95 €	19,50 €
	1,43 €	143,00 €
	1,35 €	1 350,00 €
	1,34 €	3 350,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	200 mA
Rds On - Résistance drain-source:	60 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	4.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	33 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	39 ns
Transconductance directe - min.:	0.12 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	IXTP02N120
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	21 ns
Délai d'activation standard:	6 ns
Poids de l''unité:	2 g