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IXTP08N100D2

Name: IXYS IXTP08N100D2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP08N100D2
Price: 3.85 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTP08N100D2

N° de fab. :

IXTP08N100D2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET N-CH MOSFETS 1000V 800MA

Fiche technique:

IXTP08N100D2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Délai usine :: 32

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,85 €	3,85 €
	2,44 €	24,40 €
	1,85 €	185,00 €
	1,57 €	785,00 €
	1,45 €	1 450,00 €
	1,44 €	3 600,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	800 mA
Rds On - Résistance drain-source:	21 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	14.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	60 W
Mode canal:	Depletion
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	48 ns
Transconductance directe - min.:	330 mS
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	57 ns
Série:	IXTP08N100
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	34 ns
Délai d'activation standard:	28 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

IXTP08N100D2 Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

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