IXTP08N100P

IXYS
747-IXTP08N100P
IXTP08N100P

Fab. :

Description :
MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 247

Stock:
247 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
32 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
3,74 € 3,74 €
2,45 € 24,50 €
1,82 € 182,00 €
1,42 € 710,00 €
1,37 € 1 370,00 €
1,32 € 3 300,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
800 mA
20 Ohms
- 20 V, 20 V
4 V
11.3 nC
- 55 C
+ 150 C
42 W
Enhancement
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: KR
Temps de descente: 34 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 37 ns
Série: IXTP08N100
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 35 ns
Délai d'activation standard: 19 ns
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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