Passer au contenu principal

+33 5 55 85 79 96

Membre du groupe de spécialistes TTI Contacter Mouser (Brive) +33 5 55 85 79 96 Commentaires

Changer de pays

En stock

RoHS

Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici
Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici

Historique des commandes

Fab.	N° de fab. :	Quantité	Total ext.

Voir Panier

Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IXTP08N120P

Name: IXYS IXTP08N120P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP08N120P
Price: 5.56 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXTP08N120P

N° de fab. :

IXTP08N120P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds

Fiche technique:

IXTP08N120P Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 568

Stock:: 568 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 32 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Les quantités supérieures à 568 seront soumises à des commandes minimales.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,56 €	5,56 €
	3,64 €	36,40 €
	2,39 €	239,00 €
	2,24 €	1 120,00 €
	2,11 €	2 110,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	800 mA
Rds On - Résistance drain-source:	25 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	14 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	50 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	24 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	26 ns
Série:	IXTP08N120
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	55 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Poids de l''unité:	2 g