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IXTP10N60P

Name: IXYS IXTP10N60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP10N60P
Price: 5.33 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXTP10N60P

N° de fab. :

IXTP10N60P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds

Fiche technique:

IXTP10N60P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,33 €	5,33 €
	3,49 €	34,90 €
	2,56 €	256,00 €
	2,15 €	1 075,00 €
	2,13 €	2 130,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	740 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	32 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	200 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PolarHV
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	18 ns
Transconductance directe - min.:	6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	24 ns
Série:	IXTP10N60
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	55 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Poids de l''unité:	2 g