Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IXTP12N70X2M

Name: IXYS IXTP12N70X2M
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP12N70X2M
Price: 6.23 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXTP12N70X2M

N° de fab. :

IXTP12N70X2M

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET TO220 700V 12A N-CH X2CLASS

Fiche technique:

IXTP12N70X2M Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de IXYS IXTP12N70X2M

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 41 Semaines Délai de production estimé en usine.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,23 €	6,23 €
	4,17 €	41,70 €
	2,98 €	298,00 €
	2,78 €	1 390,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Rds On - Résistance drain-source:	300 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	180 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	27 ns
Transconductance directe - min.:	7 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	78 ns
Délai d'activation standard:	24 ns
Poids de l''unité:	2 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IXTP12N70X2M Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Solutions pour véhicules électriques tout-terrain

Littelfuse fournit une large gamme de solutions pour les véhicules électriques tout-terrain. Ces véhicules électriques partagent une architecture similaire et ont une plage de puissance de 48 V à 400 V. Les véhicules électriques tout-terrain comprennent des chariots élévateurs électriques, des chariots de golf, des véhicules à trois roues, des tracteurs de remorquage, des compacteurs et des excavateurs.

Solutions de prises intelligentes

Les composants de solutions de prises intelligentes de Littelfuse présentent des prises intelligentes et des variateurs de lumière contrôlés par des applications ou une assistance virtuelle. La gamme de produits d’applications de prises intelligentes de Littelfuse comprend des fusibles Slo-Blo® PICO® II 473, des varistances 14 mm UltraMOV, des thyristors de commutation SJ SCR, des triacs thyristors, des pilotes de grille IX4340 et des MOSFET 650 V X2. Les prises intelligentes se branchent sur les prises traditionnelles ou les remplacent et permettent aux utilisateurs de contrôler ce qui est branché à l’aide d’une application ou d’une assistance virtuelle. Les variateurs de lumière intelligents sont également contrôlés à distance. Au lieu de détourner l'énergie de l'ampoule vers une résistance, le circuit moderne de l'ampoule est éteint plusieurs fois par seconde autour de la fluctuation du courant alternatif du foyer pour plus d'efficacité.

MOSFET de puissance X2-Class avec HiPerFET™

Les MOSFET de puissance X2-Class avec HiPerFET™ de IXYS sont conçus pour les applications de commutation de puissance à haut rendement et à grande vitesse. Les MOSFET Ultra-Junction X2-Class offrent une faible charge de grille et une excellente robustesse avec une diode intrinsèque rapide. Ces MOSFET sont disponibles dans de nombreux boîtiers industriels standard, y compris des types isolés. Les applications typiques sont les alimentations à découpage et en mode résonant, les convertisseurs CC-CC, les circuits PFC, les variateurs de moteurs CA et CC, ainsi que la robotique et les servocommandes.

X-Class 850V - 1000V Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS X-Class 850V-1000V Power MOSFETs with HiPerFET™ with fast body diodes are rugged devices that display the lowest on-state resistances in the industry. This enables a very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, these devices exhibit low gate charges and superior dv/dt performance. In addition, thanks to the fast soft-recovery body diode, these ultra-junction MOSFETs help reduce switching losses and Electromagnetic Interference (EMI).

Convertisseurs de puissance de sous-unité de chargeur hors carte

Les convertisseurs de puissance de sous-unité de chargeur hors carte de Littelfuse sont requis pour les stations de chargement CC capables de charger jusqu'à 80 % du SoC en moins de 30 minutes. Ces applications à chargement rapide nécessitent des convertisseurs de puissance modulaires, qui peuvent être mis en parallèle pour répondre à différents niveaux de puissance, permettant ainsi une charge rapide. Les paramètres les plus critiques sont la densité d'énergie et l'efficacité du système. Un convertisseur de puissance de sous-unité dans une station de charge CC se compose d'un étage de puissance CA/CC et d'un étage de puissance CC/CC intégrés dans la station de chargement.

Pompes à chaleur

Littelfuse offre un large portefeuille de composants pour les pompes à chaleur, notamment des fusibles, des diodes TVS, des commandes de grilles et bien plus encore. Le marché des pompes à chaleur connaît une croissance rapide, stimulée par des initiatives gouvernementales visant à réduire les émissions de gaz à effet de serre et les coûts énergétiques croissants. Avec les moteurs pilotés par convertisseur améliorant l'efficacité des systèmes, les pompes à chaleur peuvent désormais être utilisées dans un large éventail de climats. Découvrez comment les technologies Littelfuse rendent les pompes à chaleur plus sûres, plus fiables et plus économes en énergie. Les pompes à chaleur peuvent être utilisées dans un large éventail de climats en raison des moteurs pilotés par le convertisseur qui améliorent l'efficacité du système. Ces composants sont adaptés à diverses applications telles que la gestion de l'énergie, les systèmes de sécurité, les systèmes HVAC, les détecteurs de fumée et les appareils contrôlés par l'IoT. Littelfuse offre des technologies de protection, de contrôle et de détection pour améliorer la fiabilité, la sécurité et l'efficacité énergétique des bâtiments.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.