IXTP1R6N100D2

IXYS
747-IXTP1R6N100D2
IXTP1R6N100D2

Fab. :

Description :
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A

Modèle de ECAO:
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En stock: 337

Stock:
337 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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3,23 € 32,30 €
2,37 € 237,00 €
2,11 € 1 055,00 €
1,98 € 1 980,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
1.6 A
10 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
100 W
Depletion
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Type de produit: MOSFETs
Série: IXTP1R6N100
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541900000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541900000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8542900006
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.