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IXTP200N055T2

Name: IXYS IXTP200N055T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP200N055T2
Price: 5.44 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

747-IXTP200N055T2

N° de fab. :

IXTP200N055T2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds

Fiche technique:

IXTP200N055T2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,44 €	5,44 €
	3,57 €	35,70 €
	2,34 €	234,00 €
	2,18 €	1 090,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	55 V
Id - Courant continu de fuite:	200 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	109 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	360 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	27 ns
Transconductance directe - min.:	50 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	22 ns
Série:	IXTP200N055
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	49 ns
Délai d'activation standard:	26 ns
Poids de l''unité:	2 g