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IXTP20N65XM

Name: IXYS IXTP20N65XM
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP20N65XM
Price: 5.4 EUR
Availability: OutOfStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXTP20N65XM

N° de fab. :

IXTP20N65XM

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 650V/9A Power MOSFET

Fiche technique:

IXTP20N65XM Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	4,82 €	2 410,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	9 A
Rds On - Résistance drain-source:	210 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	35 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	63 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	22 ns
Transconductance directe - min.:	9 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	46 ns
Délai d'activation standard:	18 ns
Poids de l''unité:	2 g