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IXTP230N04T4

Name: IXYS IXTP230N04T4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP230N04T4
Price: 4.86 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXTP230N04T4

N° de fab. :

IXTP230N04T4

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP

Fiche technique:

IXTP230N04T4 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,86 €	4,86 €
	3,18 €	31,80 €
	2,37 €	237,00 €
	1,98 €	990,00 €
	1,84 €	1 840,00 €
	1,72 €	4 300,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	230 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, 15 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	140 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	340 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	82 ns
Transconductance directe - min.:	100 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	143 ns
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	85 ns
Délai d'activation standard:	40 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

IXTP230N04T4 Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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