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IXTP3N100P

Name: IXYS IXTP3N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP3N100P
Price: 6.28 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

747-IXTP3N100P

N° de fab. :

IXTP3N100P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 3 Amps 1000V 4.8 Rds

Fiche technique:

IXTP3N100P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	6,28 €	6,28 €
	4,11 €	41,10 €
	2,69 €	269,00 €
	2,55 €	1 275,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.8 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	39 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	125 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	Polar
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	29 ns
Transconductance directe - min.:	1.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	27 ns
Série:	IXTP3N100
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	75 ns
Délai d'activation standard:	22 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Attributs sélectionnés: 0

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Fiche technique

IXTP3N100P Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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