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IXTP3N110

Name: IXYS IXTP3N110
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP3N110
Price: 5.42 EUR
Availability: Discontinued

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXTP3N110

N° de fab. :

IXTP3N110

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IXTP3N110 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	5,42 €	271,00 €
	4,37 €	437,00 €
	3,89 €	1 945,00 €
	3,44 €	3 440,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.1 kV
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Rds On - Résistance drain-source:	4 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Temps de descente:	18 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Série:	IXTP3N110
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	32 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Poids de l''unité:	2 g