IXTP3N50D2

IXYS
747-IXTP3N50D2
IXTP3N50D2

Fab. :

Description :
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

Modèle de ECAO:
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En stock: 962

Stock:
962 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
6,26 € 6,26 €
4,10 € 41,00 €
3,02 € 302,00 €
2,54 € 1 270,00 €
2,51 € 2 510,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
3 A
1.5 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Depletion
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Pays d’assemblage: KR
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: KR
Temps de descente: 42 ns
Transconductance directe - min.: 1.3 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 71 ns
Série: IXTP3N50
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 56 ns
Délai d'activation standard: 27 ns
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541900000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.