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IXTP50N20PM

Name: IXYS IXTP50N20PM
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP50N20PM
Price: 6.15 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXTP50N20PM

N° de fab. :

IXTP50N20PM

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 20 Amps 200V 0.060 Ohm Rds

Fiche technique:

IXTP50N20PM Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	20 A
Rds On - Résistance drain-source:	66 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	90 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	30 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	35 ns
Série:	IXTP50N20
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	70 ns
Délai d'activation standard:	26 ns
Poids de l''unité:	2 g